| 公司名称： |
世辉电子（深圳）有限公司 |
公司类型： |
企业单位 (制造商) |
| 所 在 地： |
重庆市/巫溪县 |
公司规模： |
200-1000人 |
| 注册资本： |
100万人民币 |
注册年份： |
2003 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营模式： |
制造商 |
| 经营范围： |
车规级碳化硅MOSFET,新能源汽车SiC-MOSFET,汽车电驱动SiC MOSFET模块，充电桩电源模块SiC-MOSFET，储能变流器SiC-MOSFET，储能PCS SiC-MOSFET,混合IGBT模块，Hybrid IGBT module,隔离驱动IC,光伏MPPT SiC-MOSFET,OBC SiC-MOSFET,DC-DC SiC-MOSFET,碳化硅SiC MOSFET功率模块，混合IGBT单管，国产SiC-MOSFET,医疗电源SiC MOSFET |
| 销售的产品： |
车规级碳化硅MOSFET,新能源汽车SiC-MOSFET,汽车电驱动SiC MOSFET模块，充电桩电源模块SiC-MOSFET，储能变流器SiC-MOSFET，储能PCS SiC-MOSFET,混合IGBT模块，Hybrid IGBT module,隔离驱动IC,光伏MPPT SiC-MOSFET,OBC SiC-MOSFET,DC-DC SiC-MOSFET,碳化硅SiC MOSFET功率模块，混合IGBT单管，国产SiC-MOSFET,医疗电源SiC MOSFET |
| 采购的产品： |
未填写 |
| 主营行业： |
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分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源，能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011, 基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域，医疗电源，X射线高压电源，大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，储能PCS-Buck-Boost电路，高压侧接入PV直流侧，三相维也纳PFC电路,三电平...
